中国突破超低介电损耗碳氢树脂，打破美日垄断（2026-02-25）
作者：泷澹新材料产业网编辑部
2026年2月25日，位于湖北省黄石市西塞山区化工园的湖北迪赛鸿鼎高新材料有限公司（以下简称“迪赛鸿鼎”）宣布，其年产千吨级超低介电损耗碳氢树脂（DSBCB）生产线已顺利投产并实现稳定运行，成功产出多批次品质稳定合格的产品，该产品可用于AI算力芯片封装，此前长期被美国、日本企业垄断，此次突破填补了国内高端电子材料的空白，标志着中国在高端电子芯片封装材料领域实现了重大国产化突破。
超低介电损耗碳氢树脂是AI算力芯片、高端半导体封装的核心材料，被誉为半导体产业的“隐形盔甲”与“液体黄金”，其主要作用是作为芯片封装的绝缘层和介质层，具有超低介电常数、超低介电损耗、超高尺寸稳定性、良好的微观平整性和优异的加工性能等特点，能够有效降低芯片信号传输损耗，提升芯片的算力和可靠性，是支撑5G/6G、人工智能、高端半导体等新一代信息技术发展的关键材料。
长期以来，全球超低介电损耗碳氢树脂市场一直被美国陶氏化学、日本住友化学等少数企业垄断，国内高端芯片封装企业对该材料的需求高度依赖进口，不仅价格高昂，且面临着技术封锁、供应不稳定等风险，严重制约了我国高端半导体产业的自主可控发展。为打破国外垄断，迪赛鸿鼎联合武汉迪赛环保新材料股份有限公司（以下简称“迪赛新材”），经过多年的技术攻关，成功开发出新一代BCB碳氢树脂材料（DSBCB），并掌握了千吨级量产技术。
据悉，迪赛鸿鼎的超低介电损耗碳氢树脂（DSBCB）项目总投资10亿元，计划建设3条年产千吨级的碳氢树脂生产线，目前已建成1条并实现稳定量产，另两条生产线即将开工建设。一期1000吨产能规模达产后，年产值可超20亿元。该产品作为一种全新结构的纯碳氢树脂，不仅在关键性能指标上比肩国际顶尖产品，介电常数低至2.3以下，介电损耗低至0.002以下，而且更具成本优势，较进口产品成本降低30%以上，同时享有完全自主知识产权，已申请国际专利。
迪赛鸿鼎总经理祁军表示，自年初获得千吨生产线试产批文后，公司立即组织试生产，春节后正月初八就马不停蹄开始复工生产，试产产品品质稳定合格，产品综合性能已达到国际领先水平，公司将严格遵守国家相关法律法规要求，严格按照试生产工艺规范组织生产，尽快完成试产验收。此次千吨级生产线的稳定量产，标志着迪赛新材成为中国第一家掌握BCB类树脂千吨级量产技术的企业，也使中国成为全球少数能够量产超低介电损耗碳氢树脂的国家之一。
从产业影响来看，此次超低介电损耗碳氢树脂的国产化突破，将大幅降低我国高端半导体芯片封装企业对进口材料的依赖，提升我国半导体产业的自主可控能力，同时也将推动我国“光芯屏端网”万亿产业集群的建设，填补黄石PCB产业链上游空白，实现强链补链。随着AI、5G等领域的快速发展，全球对超低介电损耗碳氢树脂的需求将持续增长，预计未来3-5年，全球市场规模将年均增长18%以上，迪赛鸿鼎等国内企业有望凭借成本优势和技术突破，逐步提升市场份额，推动我国高端电子材料产业向高端化、自主化转型。
业内专家表示，超低介电损耗碳氢树脂的国产化突破，是我国新材料产业发展的重要里程碑，不仅打破了美日的技术垄断，也为我国高端半导体产业的发展提供了核心材料支撑，未来随着产能的进一步释放和技术的持续优化，我国在高端电子材料领域的竞争力将不断提升。
数据来源：湖北迪赛鸿鼎高新材料有限公司官方公告、中国石油和化工网2026年3月9日报道《一高端电子化学品项目国产化突破》、长江网2026年2月26日报道《高端电子芯片封装材料实现“黄石造”》。
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